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SiTime

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       简介:SiTime晶振的可配置解决方案帮助客户提高产品性能,缩小产品尺寸,提升产品可靠性,并在市场竞争中脱颖而出。SiTime产品采用标准半导体制造工艺和高量产塑料封装技术的生产流程,提供业界强大的供货能力和简短的交货时间。亚博vip888网页版是SiTime晶振中国区授权代理,亦是中国可编程晶振厂家;一小时量产千片级别以上的有源晶振,大批量1-2天快速交付。

SiTime晶振产品特点:小型化、高稳定性、快速出样、订货周期短、品种齐全、庞大的现货库存。
图片 类型 型号 频率 工作温度 频差 封装尺寸 电压/负载 样品申请 PDF
低功耗振荡器 SIT8008 1MHZ~110MHZ -20℃~+70℃ -40℃~+85℃ ±20ppm ±25ppm ±50ppm 2.0*1.6mm 2.5*2.0mm 3.2*2.5mm 5.0*3.2mm 7.0*5.0mm 1.8V~3.3V 样品申请 下载
差分晶振 SiT9121 1MHZ-220MHZ -20℃~+70℃ -40℃~+85℃ ±10ppm,±20ppm,±25ppm,±50ppm 3.2*2.5mm 5.0*3.2mm 7.0*5.0mm 2.5V~3.3V 样品申请 下载
低功耗振荡器 SiT8009 115MHz~137MHz -20℃~+70℃ -40℃~+85℃ ±20ppm ±25ppm ±50ppm 2.0*1.6mm 2.5*2.0mm 3.2*2.5mm 5.0*3.2mm 7.0*5.0mm 1.8V~3.3V 样品申请 下载
温补晶振 SiT5000 10MHZ~40MHZ -20℃~+70℃ -40℃~+85℃ ±5ppm 2.5*2.0mm 3.2*2.5mm 5.0*3.2mm 7.0*5.0mm 1.8V,2.5V~3.3V 样品申请 下载
压控晶振 SIT3807 1.5~45MHZ -20℃~+70℃ -40℃~+85℃ ±25ppm ±50ppm 2.5*2.0mm 3.2*2.5mm 5.0*3.2mm 7.0*5.0mm 1.8V~3.3V 样品申请 下载
32.768KHZ晶振 SiT1532 32.768KHZ -10℃~70℃ -40℃~+85℃ ±75ppm ±100ppm ±250ppm 1.5*0.8mm (1508) 1.2V~3.63V 样品申请 下载
差分晶振 SiT9122 220MHZ-625MHZ -20℃~+70℃ -40℃~+85℃ ±10ppm,±20ppm,±25ppm,±50ppm 3.2*2.5mm 5.0*3.2mm 7.0*5.0mm 2.5V~3.3V 样品申请 下载
压控晶振 SiT3808 1-80MHZ -20℃~+70℃ -40℃~+85℃ ±10ppm ±25ppm ±50ppm 2.5*2.0mm 3.2*2.5mm 5.0*3.2mm 7.0*5.0mm 1.8V~3.3V 样品申请 下载
差分晶振 SiT9120 25MHz~212.5MHz -20℃~+70℃ -40℃~+85℃ ±10ppm,±20ppm,±25ppm,±50ppm 3.2*2.5mm 5.0*3.2mm 7.0*5.0mm 2.5V~3.3V 样品申请 下载
温补晶振 SIT5001 1~80MHZ -20℃~+70℃ -40℃~+85℃ ±5ppm 2.5*2.0mm 3.2*2.5mm 5.0*3.2mm 7.0*5.0mm 1.8V~3.3V 样品申请 下载
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晶振一般可以分为:普通晶振(有源晶振、无源晶振)、温补晶振(温度补偿晶体振荡器)、恒温晶振(恒温控制晶体振荡器)、压控晶振(电压控制晶体振荡器)等几大类型。而细分按外形可分为:
晶振质量的好坏直接影响到电路工作状况,而晶振外壳品质更是影响晶振性能的主要因素之一。晶振外壳采用冲床连续冲压成型,经大量观察和分析发现,主要缺陷有内底面与顶面的凹坑、内底面与顶面的划痕,侧面裂口和侧面挠曲。
5G通信设备遍布在屋顶、电线杆、路边,甚至地下室中各个角落。这意味着更多地暴露在高温、热冲击、振动和广泛变化的气流中;作为NSST(网络、服务器、存储、电信)系统一部分的通信定时装置中的晶振,所受到的环境非常恶劣。
温补晶振,是通过其附加的温度补偿电路使周围温度变化产生的振荡频率变化量削减的一种石英晶体振荡器。它的温度补偿的原理是通过改变振荡回路中的负载电容,使其随温度变化来补偿谐振器由于环境温度变化所产生的频率漂移。由于晶体振荡器的震荡频率会随着温度的变化而变化,为了抵消温度对晶振频率的影响,控制晶振的谐振电容随温度变化而变化,抵消温度晶体影响提高频率稳定性。
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